摘要:
近年來,下游需求帶動(dòng)下,SiC襯底正在從6英寸開始向8英寸推進(jìn),更大的襯底尺寸,意味著單片SiC晶圓能夠制造出的芯片數(shù)量更多,晶圓邊緣浪費(fèi)減少,單芯片成本降低。2022年3月份,爍科率先對(duì)外發(fā)布“8英寸N型SiC拋光片的小批量生產(chǎn)”以來,已有多家國內(nèi)企業(yè)對(duì)外發(fā)布了8英寸產(chǎn)品。參照目前國內(nèi)相關(guān)企業(yè)在8英寸SiC襯底上的進(jìn)度,與國際領(lǐng)先水平的差距進(jìn)一步拉近。相較于6英寸襯底量產(chǎn)的7年時(shí)間差,如果進(jìn)度理想的話,8英寸SiC襯底量產(chǎn)時(shí)間與海外龍頭的差距可能會(huì)縮短至3年。
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