摘要：

中國蘇州，2022年11月23日——?？瓢雽?dǎo)體科技（蘇州）有限公司于蘇州納米科技城召開碳化硅（SiC）外延片投產(chǎn)新聞發(fā)布會(huì)。會(huì)上公司創(chuàng)始人、總經(jīng)理呂立平宣布，公司采用國產(chǎn)CVD設(shè)備和國產(chǎn)襯底生產(chǎn)的6英寸SiC外延片，已于近期通過兩大權(quán)威機(jī)構(gòu)的雙重檢測，性能指標(biāo)完全媲美國際大廠，為我國碳化硅行業(yè)創(chuàng)下了一個(gè)毫無爭議的新紀(jì)錄。 呂立平總經(jīng)理介紹，在過去的一年里，希科半導(dǎo)體從國產(chǎn)水平外延爐調(diào)試成功，到完成國產(chǎn)量測設(shè)備調(diào)試、并實(shí)現(xiàn)與進(jìn)口量測設(shè)備的對標(biāo)校準(zhǔn)，填補(bǔ)了行業(yè)空白；近日公司又進(jìn)一步完成了國產(chǎn)垂直外延爐調(diào)試，并完成了國產(chǎn)襯底原料與進(jìn)口襯底同等外延工藝下的對比測試。至此，?？瓢雽?dǎo)體實(shí)現(xiàn)了工藝設(shè)備、量測設(shè)備、關(guān)鍵原料的三位一體國產(chǎn)化，完全、干凈、徹底的解決了國外產(chǎn)品的卡脖子問題。這一系列成果填補(bǔ)了我國碳化硅行業(yè)的空白。

所謂SiC外延片，是指在碳化硅襯底上生長一層更高晶格品質(zhì)的單晶薄膜（外延層），在實(shí)際應(yīng)用中一個(gè)個(gè)碳化硅芯片都是采用光刻、掩膜、摻雜等半導(dǎo)體制程工藝在這個(gè)外延層上得以實(shí)現(xiàn)，而碳化硅晶片本身是作為襯底實(shí)現(xiàn)支撐作用。

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1.國產(chǎn)之光?？瓢雽?dǎo)體：引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代